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海燕策略斫研究论坛举办“菁英历程”教师系列讲座第二讲

时间：2016-10-13 15:13

（通讯员崔康）为进一步助推学院学术文化建设，强化学院科研发展潜力，拓展学生知识框架，加强师生沟通交流，10月12日下午，海燕策略斫研究论坛“菁英历程”教师系列讲座第二讲在G楼118报告厅举行。学院副院长、博士生导师马晓华教授为大家作了题为《第三代半导体材料及器件》的精彩报告，学院多位青年教师及近百名学生参加了此次讲座。

马晓华的报告围绕GaN技术的研究背景、材料生长关键技术、器件制造关键工艺、产品性能及典型应用等四个方面展开，介绍了学校在GaN功率器件方面的研究及国际进展。GaN属于第三代宽禁带半导体技术，可以满足新一代武器装备系统、卫星通讯、5G移动通信等领域对高频/超高频、大功率、抗辐照等恶劣工作条件的需求，在国防和民用市场都具有非常广阔的应用前景。经过数十年发展，国际GaN研究在高质量外延材料生长、器件表面钝化和场板技术、绝缘栅器件、大功率合成、尺寸等比例缩小等方面取得了突破，并已经进入武器装备和商业化应用阶段。马晓华在报告会最后讲到，以美国为首的西方国家长期对我国实行核心电子元器件禁运政策，并已经在爱国者防空导弹、萨德导弹防御系统中应用GaN技术大幅提高了武器装备的性能，严重威胁我国国防安全。我校是国内最早从事GaN技术研究的单位之一，在材料生长和器件制造的某些方面已经达到了国际水平，我们非常有信心和希望使我国在第三代半导体技术领域实现弯道超车，走在国际的前列，也希望更多的年轻一代加入到我国的半导体研究事业中。
马晓华教授的讲座深刻凝练、引人入胜，加深了同学们对第三代半导体材料及器件的了解、未来研究方向的把握及参与科学探索的动力，本次讲座在一片热烈的掌声中圆满结束。

据悉，“菁英历程”讲座是由海燕策略斫研究论坛于2014年举办的教师系列讲座活动，以落实建设材料特色学科，提升学院本科教育教学质量为初衷，旨在营造崇尚学术、追求卓越的良好氛围，激发学生学习积极性与创造性。（完）

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